GaP晶体的生长研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shepuqi4709
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由于磷化镓具有较高的硬度 845kg/mm2 ,可以弥补现有长波红外材料表面硬度低 ,易损坏的缺点 ,成为宽波段、高透过红外材料一种新的选择。本文着重讨论了GaP晶体的生长方法及其工艺条件对晶体性能的影响。GaP熔体离解压为 ( 3.5± 1 )× 1 0 6Pa ,使得在高温下直接通过熔体结晶生长方法制备GaP晶体比较因难 ,需要采用 ( 3.5 5 .0 ) 1 0 6Pa的高压条件 ,为此 ,我们选择了在其离解压相对小的温区内进行生长 ,这时 ,磷蒸气压远大于GaP的离解压 ,使
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