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通过赝火花强流脉冲电子束对酸敏变色片和单晶硅的轰击试验,结合束流自箍缩效应进行理论计算,对赝火花脉冲电子束传输中束斑的变形进行了研究与分析. 结果表明椭圆形轰击束斑是由通过旁路电容的瞬态电流产生的方位角磁场所引起的,并且提出了解决束斑变形的有效方法.
赝火花脉冲电子束传输中束斑分析
【摘 要】
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通过赝火花强流脉冲电子束对酸敏变色片和单晶硅的轰击试验,结合束流自箍缩效应进行理论计算,对赝火花脉冲电子束传输中束斑的变形进行了研究与分析. 结果表明椭圆形轰击束斑
【机 构】
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北京航空航天大学理学院,清华大学机械学院
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;
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