【摘 要】
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偿试性的在Ｐ—ＣａＡｓ衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（ＤＨ）平面结构可见光半导体激光器．其波长为７９４．５ｎｍ，阈值电流为３Ａ，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为１５°和２５°，三倍阈值电流工作
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偿试性的在Ｐ—ＣａＡｓ衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（ＤＨ）平面结构可见光半导体激光器．其波长为７９４．５ｎｍ，阈值电流为３Ａ，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为１５°和２５°，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为２～３Ｗ．
A tentative P-CaAs substrate using liquid phase epitaxy technology, developed into a double heterojunction (DH) planar structure visible light semiconductor laser. Its wavelength is 794.5nm, the threshold current is 3A, the divergence angles of the light field intensity of vertical junction plane and parallel junction plane are 15 ° and 25 °, respectively. The output power of single side output power is 2 ~ 3W at triple threshold current.
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