Simulation study of new 3-terminal devices for high speed STT-RAM

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hxffxh2009

【摘要】

：

<正>To improve the performance of spin transfer torque random access memory(STT-RAM),especially writing speed,we propose three modified 3-terminal STT-RAM cells

【作者】

：

张树超胡江峰陈培毅邓宁

【机构】

：

InstituteofMicroelectronics,DataStorageInstitute

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2011年7期

【关键词】

：

终端设备 STT RAM 随机存取存储器仿真结构动态自旋转移写入速度 spin transfer torque non-volatile memory

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<正>To improve the performance of spin transfer torque random access memory(STT-RAM),especially writing speed,we propose three modified 3-terminal STT-RAM cells.A magnetic dynamic process in the new structures was investigated through micro-magnetic

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