高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型

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报道了一种用于在高剂量辐照条件下MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型。利用该模型对MOS器件实验结果进行了模拟,模型计算结果与实验吻合较好,初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响,结果表明界面电荷的库仑散射是引起电子迁移率退化的主要机制。
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