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采用正交实验,直流电化学腐蚀法制备多孔硅。用原子力显微镜对表面进行观察,研究电化学腐蚀参数对其表面形貌的影响。氢氟酸浓度(CHF)升高,使临界电流密度(JPS)增大,有利于多孔硅的形成。电流密度(J)增大,多孔硅的孔隙率和孔径随之变大,而其纳米粒径将变小。腐蚀时间(t)越长,孔径越大,孔越深。
直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究
【摘 要】
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采用正交实验,直流电化学腐蚀法制备多孔硅。用原子力显微镜对表面进行观察,研究电化学腐蚀参数对其表面形貌的影响。氢氟酸浓度(CHF)升高,使临界电流密度(JPS)增大,有利于多
【机 构】
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河北燕山大学电气工程学院,河北燕山大学亚稳材料制备与科学国家重点实验室
【出 处】
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理化检验(物理分册)
【发表日期】
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2006年08期
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