热处理温度对TbFe2／Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的影响

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【摘要】

：

采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响.采用量热分

【作者】

：

张万里蒋洪川张金平彭斌张文旭杨仕清

【机构】

：

电子科技大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

直流磁控溅射 TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜交换耦合磁致伸缩系数 dc magnetron sputtering TbFe_2/Fe magnetostr

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采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响.采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试.结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6&

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