热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kalok

【摘要】

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采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速

【作者】

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张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华

【机构】

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北京工业大学

【出处】

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真空科学与技术学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

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A-SI:H薄膜沉积速率键合模式光致衰退

【基金项目】

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国家重点基础研究发展规划(No.G000028201)

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采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.

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