论文部分内容阅读
本文用 H_2O_2系腐蚀剂,对以水平 Bridgman 法生长的、本征和掺 Te 的 GaSb 晶片的低指数面(100)、(110)、(111)(?)样片进行了化学腐蚀研究。讨论了腐蚀形态,速率及活化能。本征和掺 Te 样品的活化能分别为ΔE_N～12.6kJ/mol 和ΔE_D～16.7kJ/mol。在我们的实验条件下测得(100)(110)和(111)(?)面腐蚀速率分别为2.00、1.80和1.46μn/min,并与文献中 Si 和GaAs 的数据做了相对比较。