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本文介绍了研究Ｐ—Ｎ结均匀性的几种实验方法。实验研究是在硅扩散Ｐ－Ｎ结上进行的。实验发现以下几类局部击穿效应：１）低压硬击穿；２）低压软击穿；３）微等离子体击穿；４）边缘击穿。最后从扩散工艺的角度，说明了产生某些局部击穿的原因。
硅扩散P-N结均匀性性的研究
【摘 要】
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本文介绍了研究Ｐ—Ｎ结均匀性的几种实验方法。实验研究是在硅扩散Ｐ－Ｎ结上进行的。实验发现以下几类局部击穿效应：１）低压硬击穿；２）低压软击穿；３）微等离子体击穿；４）边缘击穿。最后从扩散工艺的角
【出 处】
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清华大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1965年01期
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