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强磁体薄膜是制造强磁体磁阻器件的基础,也是制造强磁体磁阻器件的最关键的一道工艺,对于制备低功耗的强磁体磁阻器件,要求薄膜厚度很薄,约40nm,这对薄膜的制备工艺提出了更高的要求.本文主要论述了用真空蒸镀的方法制取低功耗强磁体磁阻器件用的强磁体薄膜的理论基础,并在所用材料、蒸镀方法、材料的配比、蒸发基底温度、热处理温度、膜层厚度等对薄膜的磁各向异性(△ρ/ρ0)的影响进行了详细阐述.