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研究了Co3O4在ZnO压敏陶瓷中的作用,以及它对电性能和微观结构的影响。X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析结果表明,在ZnO压敏陶瓷中Co离子以Co2+的形式存在,多数Co离子已溶入ZnO晶粒中,形成替位或填隙缺陷,但它基本上不影响ZnO晶粒的生长。电性能测试结果表明,适当的氧化钻含量能提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数和通流能力,并能降低漏电流和限制电压,然而过多的氧化钻则会对回升区大电流特性带来损害.此论点至今在国内外尚未见到类似的报道。