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为了探寻碲锗铅(Pb1-xGexTe)薄膜的最佳沉积方式,在硅基片上采用电子束蒸发沉积碲锗铅(Pb0.78Ge0.22Te)薄膜。使用X射线衍射(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)、能量散射X射线分析(EDAX)等手段对薄膜的微结构和化学配比特性进行了分析。发现碲锗铅薄膜为多晶结构,具有明显的择优取向,晶粒多为矩形,薄膜中未出现其它相关氧化物。与热蒸发膜层相比,电子束蒸发沉积的膜层有更为完善的晶体结构。