论文部分内容阅读
利用低能离子束外延技术，在400℃条件下生长样品光致发谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带，宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5065eV和1.489eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加，这一宽发射带的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。