大功率InGaAsP／InGaP／GaAs激光器特性研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：WSZHOUSHUWU

【摘要】

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介绍了无铝激光器的优点;利用LP-MOVPE生长了InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制异质结构单量子阱(SCH-SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响.对于条宽100 μm、腔长1 mm腔

【作者】

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李忠辉高欣李梅王玲张兴德

【机构】

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长春光学精密机械学院高功率半导体激光重点实验室

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

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InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构单量子阱无铝激光器大功率量子阱激光器测试 SCH SQW Al-free semiconduc

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介绍了无铝激光器的优点;利用LP-MOVPE生长了InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制异质结构单量子阱(SCH-SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响.对于条宽100 μm、腔长1 mm腔面未镀膜的激光器,连续输出光功率为1.2 W,阈值电流密度为410 A/cm2,外微分量子效率为62%,并进行了可靠性实验.

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