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作为半导体用的铜靶材，其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质，靶材晶粒的细化技术成为关键。依据转底炉法原理制备了一种片状铜，并对其晶粒尺寸的变化进行了研究，通过分析发现：坩埚底孔直径越小，底转盘转速越快，底转盘传热越好；在底转盘冷却效果好的情况下，下落点离底转盘的边缘越近，铜带的晶粒越小。
转底炉法制备细晶粒铜最佳条件的研究
【摘 要】
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作为半导体用的铜靶材，其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质，靶材晶粒的细化技术成为关键。依据转底炉法原理制备了一种片状铜，并对其晶粒尺寸的变化进行了研究，通过分析发现：坩埚底
【机 构】
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北京科技大学冶金与生态工程学院,金川镍钴研究设计院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2008年2期
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