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将稀土配合物Eu（TTA）3phen分散于异丙醇中,通过水解正硅酸乙酯（TEOS）的方法制备了新型荧光材料二氧化硅包覆稀土配合物SiO2/Eu（TTA）3phen。荧光光谱表明二氧化硅包覆后的稀土配合物荧光强度增加了将近一倍,同时,发现Eu3＋在617.4nm附近的发射峰变得非常尖锐,而未经二氧化硅包覆的Eu（TTA）3phen在617.4nm附近只是非常不明显的肩峰。这说明了二氧化硅包覆稀土配合物后,Eu（TTA）3phen的结构变得更加刚性化,从而使得荧光强度增强。荧光寿命实验结果表明二氧化硅包覆后的