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本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇，同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒－绝缘体包埋团簇的设备，并利用该设备成功地制备出了Ｃｕ：ＣａＦ２和Ｔｉ：ＣａＦ２等金属颗粒膜。该设备适应性广，可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在１０ｎｍ－７０ｎｍ之间，为多晶结构；基质ＣａＦ２也为多晶。