MeV离子辐照聚酰亚胺的化学结构及电性能转变

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在室温真空条件下,用北京大学离子注入机提供的3 MeV Si+对厚度大约25μm的电绝缘聚酰亚胺(PI/Kapton)进行了表面改性,通过紫外可见光谱分析(UV/Visible)、傅立叶转换红外光谱分析(FTIR)及电性能测量,研究了不同离子注量(1×1012-1×1015cm-2)下注入层中聚酰亚胺各官能团的化学降解及石墨化结构转变机制.红外结果表明,官能团随离子注入量的增加指数降解,并通过实验点的拟合给出了典型分子键的损伤截面.辐照后聚合物的导电性发生了巨大变化,在我们的实验中,聚
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