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采用磁控溅射技术制备了Si/SiO2超晶格薄膜，在正向偏压大于4V即可观测到了来自Au/(Si/SiO2超晶格）／p-Si结构在室温下的要中见电致发光，认为发光射主要来自于SiO2层中的发光中心上的复合发光，对实验结果进行了解释。
Au／（Su／SiO2超晶格）／p型Si结构的可见电致发光研究
【摘 要】
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采用磁控溅射技术制备了Si/SiO2超晶格薄膜，在正向偏压大于4V即可观测到了来自Au/(Si/SiO2超晶格）／p-Si结构在室温下的要中见电致发光，认为发光射主要来自于SiO2层中的发光中心上
【机 构】
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西北师范大学物理系
【出 处】
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兰州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家博士后基金 ( 9557),,暨甘肃省教委科研基金 ( 981- 17)资助项目
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