【摘 要】
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采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基
【机 构】
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辽宁师范大学物理与电子技术学院,兰州大学化学系,大连理工大学物理与光电工程学院,
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采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
A single semiconductor ZnO nanowire with a length of 30-200μm and a diameter of 80-750 nm was lapped on a metal work with different work functions of Au, Zn and Al by electrostatic probe and atomic force probe technology. The most basic ZnO nanowire insulated gate field effect transistor was constructed.The effect of channel type, nanowire diameter, annealing temperature and applied gate voltage on the IV characteristics of ZnO nanowire FETs was studied.Using semiconductors Schottky contact with metal materials, the mechanism of ohmic contact and electron transport theory, the results were analyzed and discussed.
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