氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象

来源 :厦门大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wn208001

【摘要】

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用电子柬蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜．并在500℃下氮气氛围中退火1h．将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图，并记录连续4轮由室温升至400℃，接着降至室温过程中

【作者】

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李文杰方辉

【机构】

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厦门大学物理与机电工程学院

【出处】

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厦门大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2009年5期

【关键词】

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氧化铟锡电阻温度系数压电电阻滞后现象透明导电氧化物 indium tin oxides resistance temperature coefficie

【基金项目】

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基金项目：教育部留学回国基金（0030K13016）资助

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用电子柬蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜．并在500℃下氮气氛围中退火1h．将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图，并记录连续4轮由室温升至400℃，接着降至室温过程中样品的电阻变化．测量数据显示．电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象．结合半导体载流子输运理论建立模型，与降温实验数据拟合程度很好，但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差．由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于＋1．393×10^-3／℃，同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能．

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