【摘 要】
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提出了一种基于0.13μm SiGe BJT工艺的超宽带采样/保持电路.采用辅助开关电路,优先对信号进行提前处理,提高了电路的线性度.采用全差分开环结构和多级级联输出缓冲器,有效减少了下垂率.在5 V电源电压和100 fF负载电容下,采用Cadence Spectre进行仿真分析.结果表明,在相干采样下,时钟频率为4 GHz;在高频18 GHz下,无杂散动态范围(SFDR)达63.99 dB,高频特性好.该电路的带宽达到25.1 GHz,适用于高速A/D转换器.
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
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提出了一种基于0.13μm SiGe BJT工艺的超宽带采样/保持电路.采用辅助开关电路,优先对信号进行提前处理,提高了电路的线性度.采用全差分开环结构和多级级联输出缓冲器,有效减少了下垂率.在5 V电源电压和100 fF负载电容下,采用Cadence Spectre进行仿真分析.结果表明,在相干采样下,时钟频率为4 GHz;在高频18 GHz下,无杂散动态范围(SFDR)达63.99 dB,高频特性好.该电路的带宽达到25.1 GHz,适用于高速A/D转换器.
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研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性.在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比.结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅.在300℃高温下工作时,SOI MOSFET的参数发生退化,阈值电压减小,泄漏电流增加,栅极对沟道电流的控制能力大大减小.超薄体FD-SOI的设计可使器件的高温性能更加稳定,将电路的工作温度提高到300℃.
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