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硅对 GH 90 7合金基体γ及γ′稳定性产生显著影响。Si含量高于 0 .45 at% ,合金中析出颗粒状laves相 ,且随 Si含量增加 ,ε,L aves等第二相数量增多。适宜的第二相体积分数及分布有益于持久性能。应用 d-电子合金设计理论 (即新相分计算法 New PHACOMP)对该合金第二相析出倾向进行综合评价 ,得出随 Si含量增加 ,TCP相的析出倾向增强 ,合金适宜的 Mdγ范围为 Mdγ:0 .85 8～ 0 .86 7或 Mdγ′:1.112～1.132。