【摘 要】
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IBM公司宣布了被其称为嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)迄今创记录的最快存取时间首款片上存储器技术。采用IBM公司的绝缘体上硅(SOI)旨在获得低功耗高性能所设计出的这款新
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IBM公司宣布了被其称为嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)迄今创记录的最快存取时间首款片上存储器技术。采用IBM公司的绝缘体上硅(SOI)旨在获得低功耗高性能所设计出的这款新存储器,大大提高了多内核结构中的微处理器性能,并提高了游戏、网络、其它图像强化及多媒体应用中的图
IBM announced the first on-chip memory technology ever described by the company as the fastest-ever-ever-found-in-memory for embedded dynamic random access memory (eDRAM). Designed with IBM’s silicon on insulator (SOI) for low power consumption and high performance, this new memory dramatically improves microprocessor performance in multicore architectures and enhances gaming, networking and other image enhancement And multimedia applications in the figure
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