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通过金属辅助化学刻蚀（MACE）法并改变AgNO3沉积溶液的浓度得到不同刻蚀形貌的多孔Si基底,再利用水热法在多孔Si基底上生长TiO2纳米线,得到不同条件的多孔Si/TiO2异质结材料。表征结果显示多孔Si/TiO2异质结构被合成,且不同多孔Si基底对TiO2纳米线的生长形貌具有一定影响。光电流测试结果显示0.01M的多孔Si/TiO2异质结具有最高的光电流。同时光电催化结果也显示0.01M的多孔Si/TiO2异质结具有最高的光电催化活性。实验结果分析在机理中进行解释。