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在不同漂移区浓度分布下,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜SOI高压MOSFET击穿电压的浓度相关性,指出了击穿优化对MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求.分析了MOSFET的电场电位分布随漏源电压的变化,提出寄生晶体管击穿有使SOI MOSFET击穿降低的作用.
SOI高压MOSFET的电流—电压特性模拟
【摘 要】
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在不同漂移区浓度分布下,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜SOI高压MOSFET击穿电压的浓度相关性,指出了击穿优化对MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求.分析了MOSFET的电场电位分
【机 构】
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西安交通大学微电子所710049
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年3期
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