多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

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为减少自加热效应,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构,高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOI新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构。
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