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采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si~+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaAs高速电压比较器。实验结果表明:Si_xO_yN_z是一种有希望的介质膜。