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采用原子力显微镜以TOP-DOWN方式测量单晶硅刻线单侧形貌。提出以单次扫描线上5个最低测量值的平均值为高度参考点且各条扫描线参考高度在统计意义下相等,校正(原子力显微镜)AFM压电驱动器高度方向非线性。通过NIST高度算法和直方图方法相结合确定样本边缘表面、顸表面和底部表面范围。顶表面和底表面各扫描线的功率谱密度(PSD)、均方根值(RMS)基本一致。对于边缘粗糙度而言,RMS随测量高度增加而减小;PSD随高度增加主导频率范围略有降低但变化不明显。