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0 .8MeV的Si离子注入Al0 .2 5 Ga0 .75 As/GaAs外延薄膜的弱损伤特征 .注入剂量从 1× 1 0 14 ~ 5× 1 0 15 cm-2 ,对注入后的样品采用了Raman光谱测量 ,观察到了两类声子模式 ,该外延材料的晶格振动显示出“双模”行为 .并计算了在注入层中的应变以及晶格常数随剂量的变化 .此外还测量了样品的Rutherford背散射和沟道谱(RBS/C) ,结果表明与Raman光谱测量一致的结论 :该注入条件只引起材料的弱损伤行为 .