【摘 要】
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采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成
【机 构】
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河北工业大学,中国电子科技集团公司第十三研究所,西安电子科技大学微电子学院,
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采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络,在频率为8GHz下测试,饱和输出功率为30W,功率增益在6dB以上,功率附加效率为38%,该结果目前在国内为首次报道。
The GaN HEMT epitaxial material with self-developed SiC substrate was used to fabricate a GaN HEMT with a total gate width of 2mm. The impedance characteristics of the device were tested using a load-pull system. The real part of the source-drain impedance of the device was 6Ω and 22Ω respectively. The impedance matching network of the four-chip device is tested at 8GHz with a saturated output power of 30W, a power gain of more than 6dB, and an additional power efficiency of 38%. This result is currently reported for the first time in China.
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