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依据文献中的气相反应路径，特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型，指出对于存在冷壁面的水平式，加合物的反应路径对沉积起重要作用。在加合物路径中，对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa；NH3，而环状化合物[（CH3）2Ga：NH2]。形成的可能性很小，可以忽略。对于垂直式反应器，所有的反应物粒子均经过高温边界层区域，遵循热解路径。在高温条件下，对薄膜生长起决定作用的是MMG。纳米粒子的形成需要高温条件，并且纳米粒子的生长遵循CVD机理，可认为气相纳米粒子的主要成分可能是GaN。在高温条件下Hz对GaN的刻蚀