一种低功耗宽带低噪声放大器

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设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8V电源供电下的功耗仅为0.712mW,在3dB带宽0.043~1.493GHz范围内的峰值增益为20.44dB,最小噪声系数为4.024dB,输入3阶交调点为-3.73dBm。 A low-power broadband low-noise amplifier designed for wireless sensor networks is designed. By using a capacitor cross-coupled common-gate amplifier structure to increase the gain, while achieving broadband input impedance matching. The use of PMOS and NMOS stack structure to achieve current multiplexing, reducing power consumption. The LNA is designed in a 0.18μm SMIC CMOS process. The simulation results show that the amplifier consumes only 0.712mW at 1.8V power supply, 20.44dB gain at 3dB bandwidth of 0.043-1.493GHz, and the minimum noise figure is 4.024dB. The 3rd order intercept point For -3.73dBm.
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