论文部分内容阅读
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下,促使无定形层硅在低温时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为1×10^12-2.5×10^17Ni/cm^2,卢瑟福背散射和沟道测量表明,6个量级剂量注入并经430℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长,且比通常固相外延生长约加快了二个数量级,其外延生长速度与镍浓度相关。