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离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０＾１２－２．５×１０＾１７Ｎｉ／ｃｍ＾２，卢瑟福背散射和沟道测量表明，６个量级剂量注入并经４３０℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长，且比通常固相外延生长约加快了二个数量级，其外延生长速度与镍浓度相关。