【摘 要】
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针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6％)∶H2O2(30％)∶CH3COOH(99.8％)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响.
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 北京 100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 北京 100029;北京有
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针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6％)∶H2O2(30％)∶CH3COOH(99.8％)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响.混合溶液放置时间在48 h内,C-eSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48h后腐蚀速率趋于稳定.另外,在厚度相同的情况下,GeSi层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大.本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象.该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义.
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