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在“底层”眺望纯文学
【出 处】
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长城
【发表日期】
：
2020年1期
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PZT基压电陶瓷在许多领域有着广泛的应用。为了适应现代应用对压电陶瓷力学性能和压电性能提出的更高要求，本文采用前驱体法制备了PZT/ZrO2纳米复相压电陶瓷。通过引入少量纳米第二相ZrO2粒子，PZT/ZrO2陶瓷的力学性能大幅度提高，同时压电性能也能得到改善。 改进的聚合物法制备的B位前驱体(Zra+xTi1-a)0.98Nb0.02O2.01+1.96x、Zra+xTi1-aO2+2x(Zr
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GaN是一种非常优异的III—V族宽带隙半导体材料，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。室温下GaN的禁带宽度是3.4eV，可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示，在光电子学和微电子学领域中有重要的应用前景。目前GaN基器件大多数制作在蓝宝石衬底上。由于蓝宝石价格昂贵、衬底自身绝缘且硬度大、器件工艺复杂、制作成本费用高，且其
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