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本文介绍了利用张应力及压应力技术提升CMOS器件载流子(电子或空穴)迁移率的各项技术分支,主要从器件内部应力、隔离应力、表面应力等三个方面,结合实际的专利申请对现有技术进行探讨,并重点针对覆盖应力层、形成应力沟槽等热门研究方向,对该领域的技术发展脉络进行了梳理.
应力作用提升CMOS器件载流子迁移率专利分析
【摘 要】
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本文介绍了利用张应力及压应力技术提升CMOS器件载流子(电子或空穴)迁移率的各项技术分支,主要从器件内部应力、隔离应力、表面应力等三个方面,结合实际的专利申请对现有技术
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心,苏州,215000
【出 处】
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数字通信世界
【发表日期】
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2015年8期
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