【摘 要】
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利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得
【机 构】
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厦门市三安光电科技有限公司; 厦门大学机电与物理学院;
【基金项目】
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国家高技术研究发展(863)计划(2012AA051402)
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利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需太阳电池片,I-V电学测试结果表明隧穿结带隙、厚度和掺杂是影响隧穿效应的重要因素。在隧穿结区厚度为40nm时掺杂浓度p型高达7×1019cm-3,n型高达3×1019cm-3条件下,隧穿结峰值电流能满足1000倍聚光条件下大隧穿电流的要求。在未蒸镀减反射层时,AM1.5D、1000倍聚光、25℃、low-AOD条件下,测得倒装双结太阳电池的Voc=2.776V,Isc=10.63A,FF=82.4%,Eff=24.27%。
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