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随着封装器件环境可靠性要求的提升,对外壳内部的氢含量控制提出了更高的要求。本文对混合集成电路外壳内部氢含量控制进行系统分析,包括影响外壳内部氢含量的因素分析及工艺过程氢含量控制技术分析。通过针对性的工艺措施,可实现250℃48h激发后外壳内部氢含量满足≤2000ppm的要求,并且保证外壳镀金层具有良好键合强度及可焊性。