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采用第一性原理，以WIEN2K软件为平台对Sn1-xNxO2超晶胞体系的态密度（DOS）、能带结构、介电函数和吸收系数进行模拟计算，从理论上指出光学特性与电子结构之间的内在联系。分析结果表明：掺入杂质后体系带隙减小了0．59eV，费米能级向低能方向移动进入价带，并且由半导体变为半金属材料，N的掺入有助于P型SnO2的实现；掺杂前后体系为直接跃迁半导体，其介电函数谱和吸收谱与带隙相对应均发生了红移，并且光学吸收边变宽，增大了光学响应，Sn1-xNxO2材料可广泛应用于红外发光器件。