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本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,及版图设计.该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC 0.13μm 1P8M CMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求.
千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计与实现
【摘 要】
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本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,及版图设计.该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC 0.13μm 1P8M CM
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,东华大学理学院
【出 处】
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电子设计应用
【发表日期】
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2005年9期
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