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本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性,利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对Mosfet的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相符,最后,本文以一个工作于2.4GHZ,0.5μm工艺的低噪声放大器(LNA)设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法。