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对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏，高压反偏，高温正向大电流，高温存贮４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，Φｂ从０．６４３ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大。ＨＴＳ试验中Φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ，分析表明，这归因于界面氧化层的消失。
n—GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究
【摘 要】
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对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏，高压反偏，高温正向大电流，高温存贮４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，Φｂ从０．６４３ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大。ＨＴＳ试验中Φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ，分析表明，这归因于界面氧化层的消失。
【机 构】
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北京工业大学电子工程学系,南京电子工业部55所
【出 处】
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北京工业大学学报
【发表日期】
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1996年2期
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