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本文介绍了垂直腔表面发射(SE)注入激光器(LD)的最新进展;讨论了垂直腔 SELD 的结构参数设计准则以及相关的制作技术;最后,介绍了垂直腔SELD 的应用前景。
垂直腔表面发射半导体激光器
【摘 要】
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本文介绍了垂直腔表面发射(SE)注入激光器(LD)的最新进展;讨论了垂直腔 SELD 的结构参数设计准则以及相关的制作技术;最后,介绍了垂直腔SELD 的应用前景。
【机 构】
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重庆光电技术研究所重庆市永川632163
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1990年3期
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