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1SiC半导体元件的优势目前，大功率半导体往往采用硅（Si）材料，但Si的开发已达到物理极限，要再大幅度提高其性能较困难。碳化硅（SiC）材料的性能与Si相比，绝缘击穿电场强度约为Si的3倍，电子饱和速度约为Si的2倍。SiC物理性能优越，如采用SiC制成大功率半导体元件，性能将会有很大提高。比如，与Si元件构造差不多的SiC晶体管从原理上讲，可使耐压性能提高约10倍，动作温度提高约3倍，电流密度增大约100倍，开断速度加快约10倍，而损耗可降为1／100。因此，通过使用SiC元件有望使电力变换装置实现高