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1SiC半导体元件的优势目前,大功率半导体往往采用硅(Si)材料,但Si的开发已达到物理极限,要再大幅度提高其性能较困难。碳化硅(SiC)材料的性能与Si相比,绝缘击穿电场强度约为Si的3倍,电子饱和速度约为Si的2倍。SiC物理性能优越,如采用SiC制成大功率半导体元件,性能将会有很大提高。比如,与Si元件构造差不多的SiC晶体管从原理上讲,可使耐压性能提高约10倍,动作温度提高约3倍,电流密度增大约100倍,开断速度加快约10倍,而损耗可降为1/100。因此,通过使用SiC元件有望使电力变换装置实现高