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6H-SiC 单身者晶体被升华方法种。外国谷物在晶体的方面上经常发生，这被发现。描绘外国谷物，一纵并且部分切割样品被标准机械处理准备方法。拉曼光谱证实外国谷物实际上是 mis 面向的 6H-SiC 谷物。外国谷物的表面结构被化学蚀刻和光显微镜学学习。在外国谷物区域蚀刻坑，这被显示出拿等腰的三角的形状，它与在叠差错的单音水晶的区域，和高密度的那些不同在外国谷物的表面上被观察。外国谷物表面的取向决心是(10 $bar 1 $ 4 ) 由 back-scattering X 光检查 Laue 的飞机图象。X