含氢硬碳膜的射频等离子体淀积

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本文介绍在电容耦合射频放电中用碳氢化合物、如CH_4、C_2H_4及C_6H_6来制备硬碳膜。这种硬碳膜呈电绝缘(电阻率为10~(12)Ωcm),透红外,很硬(克氏硬度为1400kp/mm~2),折射率为1.8~2.0,可淀积于玻璃、石英、硅、锗、SiC、GaAs、Gd_3Ga_5O_(12)上,淀积速率很高(1000/min)。锗衬底上的这种单层膜在10.6μm处的反射小于0.2%。 This article describes the use of hydrocarbons such as CH_4, C_2H_4, and C_6H_6 in capacitively coupled radio frequency discharges to prepare hard carbon films. The hard carbon film is electrically insulative (resistivity of 10 ~ (12) Ωcm), through the infrared, very hard (Karl hardness of 1400kp / mm ~ 2), refractive index of 1.8 to 2.0 can be deposited in the glass, The deposition rate is high (1000 / min) on quartz, Si, Ge, SiC, GaAs, Gd_3Ga_5O_ (12) This monolayer on germanium substrate reflects less than 0.2% at 10.6 μm.
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