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1 3300V牵引级IGBT简介IGBT(绝缘栅双极晶体管)集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术,取得巨大的进展。