【摘 要】
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Siemens公司开发的第二代绝缘栅双极晶体管(IGBT)可提供较高的单元密度。这种BUP 213型1,200V IGBT的集电极和发射极之间的最大饱和电压在125℃时为3.8V,比第一代产品小0.5V
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Siemens公司开发的第二代绝缘栅双极晶体管(IGBT)可提供较高的单元密度。这种BUP 213型1,200V IGBT的集电极和发射极之间的最大饱和电压在125℃时为3.8V,比第一代产品小0.5V。Siemens公司还开发出灵巧功率SMD
Second Generation Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) developed by Siemens offer higher cell densities. The maximum saturation voltage between the collector and emitter of this BUP 213 1,200V IGBT at 3.8 ° C is 3.8V, which is 0.5V less than the first generation. Siemens has also developed a smart power SMD
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